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知能デバイス材料学専攻の小山 裕教授が「KDDI財団賞」を受賞しました。

2014/04/01

極めて非対称な層状半導体GaSeを用いて、その複屈折性に基づく同軸位相整合条件を確立し、差周波混合現象を利用することにより、Qファクターが従来の1000倍以上高い100万に達する超挟線幅の連続可変周波数CWテラヘルツ光源実現の基盤技術を開発することに成功しました。この技術は、医薬・生体高分子等のテラヘルツ分光分析精度を、飛躍的に向上する事に大きく貢献する成果です。また、非線形光学結晶の育成から光源開発そしてテラヘルツ応用まで一貫して研究・開発を行うスキームは極めて独創的である点が評価されました。
 
*Qファクター
電子工学の分野では、電波等の発振回路あるいは共振回路の共振のピークの鋭さを表す値「Q」(Quality factor)として一般的に用いられる。Qの値が大きいほど、発生する電波の周波数の広がりが小さい、つまり周波数の純度(光では単色性とも言う)が高い事を意味する。
 

色が違う二つのレーザーを半導体結晶の中で混合してテラヘルツ波を発生

 
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