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電子工学専攻 鷲尾・小谷研究室の研究論文が Advances In Engineering (AIE) により工学的に特に重要度の高い論文として選ばれ、AIEのWebサイトにて紹介されました。
2015/06/23
電子工学専攻 鷲尾・小谷（固体電子工学）研究室の次の研究論文が、2015年6月17日（水）、カナダのリサーチ会社Advances In Engineering(AIE) により工学的に特に重要度の高い論文として選ばれ、同社のWebサイトにて紹介されました。
◯研究論文
Hiroshi Chiba, Tatsuya Mori, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio.
"Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of Single-Domain V-Doped ZnO Films on c -Face Sapphire"
Journal of Electronic Materials, May 2015, Volume 44, Issue 5, pp 1351-1356.
[DOI: 10.1007/s11664-014-3587-2]
Hiroshi Chiba, Tatsuya Mori, Tomoyuki Kawashima, Katsuyoshi Washio.
"Low-Temperature Heteroepitaxial Growth of Single-Domain V-Doped ZnO Films on c -Face Sapphire"
Journal of Electronic Materials, May 2015, Volume 44, Issue 5, pp 1351-1356.
[DOI: 10.1007/s11664-014-3587-2]
◯詳細URL
Advances In Engineering(AIE) の本研究論文のWebページ
https://advanceseng.com/general-engineering/low-temperature-heteroepitaxial-growth-of-single-domain-v-doped-zno-films-on-c-face-sapphire/
Advances In Engineering(AIE) の本研究論文のWebページ
https://advanceseng.com/general-engineering/low-temperature-heteroepitaxial-growth-of-single-domain-v-doped-zno-films-on-c-face-sapphire/
カナダのリサーチ会社Advances In Engineering(AIE) は、主な学術雑誌から非常に優れた研究成果を選定し、自社のWebサイトを通じてその研究成果の概要を紹介し、コンサルティングやマッチングを行っています。
今回AIEが注目したのは、鷲尾教授らが2015年に発表した上記の論文です。
鷲尾教授らはサファイア基板上へのZnO薄膜形成において、遷移金属のバナジウム添加により良好な配向性が得られることを見いだしました。
今回、海外の第三者機関から注目された事は、本研究成果が工学的に重要な研究成果であることを示しています。
今回AIEが注目したのは、鷲尾教授らが2015年に発表した上記の論文です。
鷲尾教授らはサファイア基板上へのZnO薄膜形成において、遷移金属のバナジウム添加により良好な配向性が得られることを見いだしました。
今回、海外の第三者機関から注目された事は、本研究成果が工学的に重要な研究成果であることを示しています。
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