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電子工学専攻の鷲尾研究室の論文がAIEにより「工学的に特に重要度の高い論文」に選定されました。

2017/10/11

電子工学専攻 固体電子工学[鷲尾]研究室の佐藤佑紀氏(2016年博士前期課程修了)、伊藤友樹博士後期課程3年(学振特別研究員)、川島知之助教、鷲尾勝由教授による論文が、Advanced In Engineering (AIE)により「工学的に特に重要度の高い論文」に選定され、AIEのサイトに掲載されました。

【対象論文】
Yuhki Satoh, Yuhki Itoh, Tomoyuki Kawashima, and Katsuyoshi Washio.
"Effects of Ge growth rate and temperature on C-mediated Ge dot formation on Si (100) substrate."
Thin Solid Films, volume 621 (2017), pages 42–46.

【掲載URL】
https://advanceseng.com/electrical-engineering/effects-ge-growth-rate-temperature-c-mediated-ge-dot-formation-si-100-substrate/

【問い合わせ先】
電子工学専攻 固体電子工学[鷲尾]研究室
tel.022-795-7122
http://www.sse.ecei.tohoku.ac.jp/

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