PRESS RELEASE
2010/11/18「低消費電力と長期信頼性に優れる相変化メモリ材料の開発」 に関する記者発表のご案内
知能デバイス材料学専攻の須藤祐司准教授、小池淳一教授、（齊藤雄太、鎌田俊哉、隅谷真志各大学院生）らのグループは、耐熱性に優れる低融点Ge-Cu-Te系相変化メモリ材料を開発しました。
フラッシュメモリに代表されるように電源をオフしてもデータが保存される不揮発性メモリが幅広い分野で利用されていますが、データ書換速度が遅いという欠点を抱えています。最近、高速のデータ書換が可能な次世代型不揮発性メモリとして相変化メモリが注目されています。現在、相変化メモリ用の材料としてGe-Sb-Te系化合物が研究開発されていますが、融点が高いためデータを書き換えるために必要な消費電力が高く、また、85℃程度の高温の環境に長時間置かれるとデータが消えてしまうという問題がありました。今回開発したGe-Cu-Te系化合物は、Ge-Sb-Te系化合物よりも融点が100℃程度低く消費電力を低減できると共に、125℃以上の環境下でも10年間データを保持できるため、高速USBメモリなどばかりでなく、自動車分野など高温環境下で使用できる不揮発性相変化メモリを実現できます。
つきましては、今回の研究成果について、下記のとおり記者会見を開催いたしますので、ご多忙のところ誠に恐縮ではございますが、ご出席賜りたく、ご案内申し上げます。
記者発表日時：2010年11月24日（水）11:00 〜12:00 （受付開始 10:45）
開催場所：東北大学工学研究科 青葉山キャンパス 総合研究棟201号室
http://www.eng.tohoku.ac.jp/map/?menu=campus&area=c&build=10
所在地：仙台市青葉区荒巻字青葉6−6
説明者：東北大学大学院工学研究科 知能デバイス材料学専攻 須藤 祐司 准教授
【記者発表に関するお問い合わせ先】
工学研究科・情報広報室 馬場
電 話：022-795-5898
E-mail：eng-pr@eng.tohoku.ac.jp
【お問合せ】
東北大学工学研究科・工学部情報広報室
TEL/ FAX：022-795-5898
E-mail：情報広報室メールアドレス